据悉,该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术,实现了能效与密度的双重进步。和上一代制程工艺相比,18A工艺在相同能耗下性能提升15%,晶体管密度提升30%。
英特尔方面表示,该技术是英特尔下三代技术的基石,公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研发。

据悉,该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术,实现了能效与密度的双重进步。和上一代制程工艺相比,18A工艺在相同能耗下性能提升15%,晶体管密度提升30%。
英特尔方面表示,该技术是英特尔下三代技术的基石,公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研发。
