SK海力士今天宣布，已经开始大规模批量生产新一代HBM2E DRAM内存/显存芯片，距离去年8月首次提出这一规格只有10个月的时间。SK海力士的HBM2E具备大容量、高速度、低功耗的特点，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb(2GB)芯片，从而做到单颗容量16GB，是上代HBM2的两倍，理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗单颗容量24GB。
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