韩国业内消息称，在人工智能带动的融资与建设热潮持续之际，三星电子与SK海力士正向主要客户发出通知，计划将服务器用DRAM合约价格在今年第一季度相比去年第四季度上调约60%至70%。业内人士指出，两家头部存储厂商正借助先进制程与高端存储产品的供给优势，尽可能延长并放大利润高涨期，对未来几个季度甚至直至2027年的价格继续上行保持乐观预期。
本轮涨价对全球大型科技企业影响尤为显著，微软、Google等云巨头被曝正大量扫货DRAM芯片，以应对新建与扩容AI数据中心对内存带来的激增需求。数据中心之外，PC与智能手机等消费电子产品的生产成本同样面临上升压力，华硕等整机与品牌厂商被认为很可能会在后续产品中将更高的元件成本部分转嫁给终端消费者。
为在涨价周期中保留更多调价空间，三星与SK海力士据称已大幅削减长期供货协议的比重，转而要求客户以季度合约为主，以便在未来数季根据市场供需进一步提升价格。与此同时，美国存储厂商美光此前已宣布，2026年全年的内存供货协议已基本锁定，并决定停止面向消费级市场的Crucial品牌业务，将资源集中投向企业与数据中心客户。
行业分析认为，高带宽存储HBM3E的订单激增，是推高当前DRAM价格的重要直接动力之一。面向AI训练与推理的高性能加速卡需要搭载大量高带宽显存，HBM3E目前被用于英伟达H200等AI芯片，而H200近期已获美国政府批准向中国出口，进一步刺激了相关存储需求。同时，博通也在大幅提高HBM3E的采购量，用于Google自研TPU及其他定制AI加速器，使得DRAM供应链承受更大压力。
为了锁定供应，微软、亚马逊等科技巨头被指派采购买家前往韩国，与当地存储厂展开密集谈判，试图提前签下更稳定的供货安排。韩国方面的报道显示，首尔周边商务酒店近期被美国大型企业的常驻人员长期预订，反映出全球IT巨头在这一轮内存抢购战中的紧迫心态。
市调机构TrendForce预测，本轮DRAM景气周期将延续一段时间，常规DRAM合约价在2026年第一季度有望累计上涨至多60%。相较之下，NAND闪存价格涨幅预计较为温和，但仍可能出现最高约38%的上调。在AI数据中心建设与算力竞争愈演愈烈的背景下，需求短期内难以被新增产能完全满足，众多客户为了维持市场竞争力，预计将被迫接受更高的存储芯片采购成本。