据DigiTimes汇总的市场数据，2026年2月存储芯片现货价格全面飙升，其中NAND闪存晶圆的表现尤为激进。DigiTimes警告称，存储供需差距的扩大正推动现货价格快速上涨和采购资金压力，如果持续下去，可能导致行业周期崩溃。
在刚刚过去的2月中，1Tb TLC闪存晶圆现货价格暴涨25%至25美元，创下该品类单月最大涨幅纪录。
DRAM方面，DDR5 16Gb（2Gx8）芯片均价升至39美元，环比上涨7.4%；DDR4表现分化，16Gb规格微涨0.26%至78.10美元，8Gb版本上涨6.8%至33美元；DDR3 4Gb芯片上涨7.5%至5.70美元。
2月中旬春节假期短暂冷却交易活动，节后现货市场迅速反弹，DigiTimes指出，DDR4涨幅较1月20-30%的月度增幅有所回落，但这"仅是季节性因素，而非结构性压力缓解的信号"。
现货上涨背景是合约价格预测大幅上涨，TrendForce月初将2026年Q1常规DRAM合约价涨幅预测从55-60%上调至90-95%，PC DRAM更预计环比翻倍，创季度涨幅新纪录；NAND闪存合约价涨幅也从33-38%上修至55-60%。
AI基础设施是本轮涨价的核心原因，北美云服务商自2025年底提前锁定订单，将产能优先分配给服务器DRAM和高带宽内存，导致常规DRAM及消费级NAND供应严重不足。
即便一级PC OEM厂商拥有固定供应商配额，库存水平仍在持续下滑。
NAND领域长期趋势更为严峻，DigiTimes援引中国闪存市场数据称，1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格自2025年10月以来已上涨约三倍，512Gb TLC价格同期涨幅近五倍。
供应商持续将产能转向利润率更高的企业级SSD，限制模组厂商晶圆供应，对整个品类形成持续上涨压力。
