三星目前正在加快开发第五代HBM3e“Shinebolt”。经初步测试，“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升，预计将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大数据传输速度为1.15TB/s）更快。
同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。
据悉，HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。
HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3e是HBM3的扩展（Extended）版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。
