据韩国媒体 The Elec 报道，三星电子计划于今年正式停止2D NAND闪存存储的生产，并对相关老旧生产线进行全面改造，以顺应快速增长的人工智能算力与高带宽存储（HBM）需求。
报道指出，三星位于韩国华城基地的12号生产线目前主要用于生产2D NAND，这一工艺已属于“老旧技术”。 该产线具备每月约8万至10万片12英寸晶圆的产能，但在3D NAND全面取代平面NAND的大趋势下，其原有用途已不再符合市场方向。 三星并未选择简单关停该设施，而是将其中大量仍具价值的晶圆制造设备转用于DRAM金属化工序，即在DRAM芯片内部形成连接存储单元的金属导线通路。
完成改造后，华城12号线将用于生产三星第六代10 nm级1c DRAM，这一工艺节点被用于下一代HBM4产品。 三星预计，到今年下半年，其1c DRAM总月产能可提升至约20万片晶圆，华城改造产线将与平泽的P3、P4生产线协同运作，为HBM4提供更多产能支撑。
2D NAND闪存最早在上世纪90年代末被引入，并持续量产多年，但近几年各大存储厂商已陆续将重心转向堆叠结构的3D NAND。 相比传统平面NAND，3D NAND在容量密度、可靠性以及整体性能方面都有明显优势，适合应对数据中心与高端终端设备的需求。 三星计划在今年3月彻底停止2D NAND生产，为3D NAND及其他高附加值存储产品腾出更多制造空间。
业内人士认为，通过将原2D NAND产线改造为DRAM及HBM相关产能，三星有望在全球高带宽存储市场中进一步巩固地位。 在当前存储器供应趋紧的大背景下，增加先进DRAM与HBM的有效产能，亦有助于在一定程度上缓解存储供应紧张和价格上行压力。