三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别（并不是10nm，预计是14~18nm之间）的DRAM芯片。其中，单芯片容量8Gb(1GB)。相较1x-nmm，工艺层面上，性能提升10%，功耗和封装面积减小，能效提升15%。
同时，阵脚带宽3600Mbps起(可以理解为DDR4-3600)，也比1x-nm时代的DDR-3200进步。
1y-nm工艺，三星没有引入EUV，而是通过加入高灵敏度的单元数据传感系统和减少气隙实现。
与此同时，三星表示，也会进一步加快依赖DRAM技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态存储芯片的开发工作。
目前，AMD/Intel已经验证通过1y-nm内存。
此举还意味着，1x-nm以及更老的工艺的内存成本和最终价格将有望下探。
